ПРИКАСПИЙСКИЙ ЖУРНАЛ

УПРАВЛЕНИЕ И ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ

Математическое моделирование кинетики самоорганизации субнаноразмерных углеродных масочных покрытий на кристаллах кремния (100)

Читать Яфаров Р. К., Шаныгин В. Я. Математическое моделирование кинетики самоорганизации субнаноразмерных углеродных масочных покрытий на кристаллах кремния (100) // Прикаспийский журнал:  управление и высокие технологии. — 2018. — №3. — Стр. 109-117.

Яфаров Р. К. - доктор технических наук, профессор, Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, 410019, Российская Федерация, г. Саратов, ул. Зеленая, 38, pirpc@yandex.ru

Шаныгин В. Я. - кандидат технических наук, научный сотрудник, Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, 410019, Российская Федерация, г. Саратов, ул. Зеленая, 38, vitairerun@mail.ru

Впервые с использованием методов сканирующих атомно-силовой и электронной микроскопии зафиксирована кинетика самоорганизации наноразмерных доменов при осаждении субмонослойных углеродных покрытий на кремнии (100) в СВЧ плазме паров этанола низкого давления. Исследовано влияние кинетической энергии углеродосодержащих ионов на кинетику структурирования углеродных кластеров на атомно-чистой поверхности кристаллов кремния (100). В рамках кинетического подхода предложена математическая модель, устанавливающая связи между скоростями осаждения углеродных покрытий как функции внешних переменных, характеризующих плазменный процесс, таких как температура подложки и плотность потока адсорбции углеродосодержащих ионов. Показано, что полученные наноразмерные углеродсодержащие домены могут быть использованы в качестве масковых покрытий для получения с использованием высокоанизатропного плазмохимического травления пространственных низкоразмерных систем на монокристаллическом кремнии (100).

Ключевые слова: углеродное покрытие, микроволновая плазма, кремний, плазмохимическое травление, низкоразмерная система, катодная матрица, кинетика самоорганизации, математическая модель, carbon covering, microwave plasma, silicon, plasmochemical etching, low-dimensional