ПРИКАСПИЙСКИЙ ЖУРНАЛ
УПРАВЛЕНИЕ И ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ
Технология получения многослойной эпитаксиальной структуры для термоэлектрического генератора на основе полупроводниковых соединений А^sup>3^/sup>В^sup>5^/sup>
 |
Читать | Сысоев Игорь Александрович , Катаев Владимир Федорович , Ермолаева Наталия Вячеславовна Технология получения многослойной эпитаксиальной структуры для термоэлектрического генератора на основе полупроводниковых соединений А^sup>3^/sup>В^sup>5^/sup> // Прикаспийский журнал: управление и высокие технологии. — 2010. — №2. — Стр. 90-97. |
Сысоев Игорь Александрович - кандидат технических наук, профессор кафедры нанотехнологий материалов электронной техники, Северо-Кавказский государственный технический университет , eianpisia@yandex.ru.
Катаев Владимир Федорович - генеральный директор г. Волгодонска, ЗАО «Институт термоэлектричества», kvf00@mail.ru, kvf@volgodonsk.ru.
Ермолаева Наталия Вячеславовна - кандидат технических наук, доцент кафедры микроэлектроники, Волгодонский институт филиал Южно-Российского государственного технического университета (НПИ) , ermolnv@vdonsk.ru.
Разработана структура проводящего эпитаксиального слоя для термоэлемента на основе арсенида и антимонида индия. Приводятся результаты расчета основных пара- метров эпитаксиальных слоев многослойной структуры (период решетки, толщина слоя, концентрация примесей). В качестве метода кристаллизации предлагается использовать метод зонной перекристаллизации градиентом температуры (ЗПГТ). Рассчитаны опти- мальные технологические параметры процесса эпитаксии.
Ключевые слова: термоэлемент,технология создания,рабочие эпитаксиальные слои,метод зонной перекристаллизации градиентом температуры.