ПРИКАСПИЙСКИЙ ЖУРНАЛ
УПРАВЛЕНИЕ И ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ
Особенности построения датчиков магнитного поля на основе эффекта колоссального магнитосопротивления
 |
Читать | Карпасюк В.К., Смирнов А.М., Баделин А.Г. Особенности построения датчиков магнитного поля на основе эффекта колоссального магнитосопротивления // Прикаспийский журнал: управление и высокие технологии. — 2015. — №4. — Стр. 291-297. |
Карпасюк В.К. - доктор физико-математических наук, профессор, Астраханский государственный университет, 414056, Российская Федерация, г. Астрахань, ул. Татищева, 20а, vkarpasyuk@mail.ru
Смирнов А.М. - ведущий инженер, Астраханский государственный университет, 414056, Российская Федерация, г. Астрахань, ул. Татищева, 20а, sc_lab@bk.ru
Баделин А.Г. - младший научный сотрудник, Астраханский государственный университет, 414056, Российская Федерация, г. Астрахань, ул. Татищева, 20а, alexey_badelin@mail.ru
В статье рассмотрены особенности построения и функционирования многоэлементных цифровых датчиков магнитного поля для широкого интервала температур на основе керамических манганитов, обладающих колоссальным магнитосопротивлением. Обеспечение достоверности и повторяемости измерений требует учета нелинейных температурных и вольтамперных характеристик манганитов и контактных областей, а также влияния сопутствующих эффектов на измеряемые величины. Это достигается с помощью процедур предварительной автоматической калибровки магниточувствительных элементов, что дает возможность расширить допустимый разброс электромагнитных параметров манганитов и интервал рабочих температур. При этом исключается необходимость термостабилизации датчиков. Описаны конструкция и рабочие характеристики датчика на примере созданного экспериментального образца, а также алгоритмы начальной калибровки и обработки информационных сигналов в рабочем режиме. Рассмотрены перспективы развития «интеллектуальных» матричных систем для анализа неоднородных магнитных полей, в том числе с использованием манганитов новых составов, позволяющих значительно повысить чувствительность датчиков.
Ключевые слова: манганиты, колоссальное магнитосопротивление, температура, магнитное поле, матричный датчик, экспериментальный образец, микропроцессорная обработка, автоматическая калибровка, параметры, manganites, colossal magnetoresistance, temperature, magnetic field,