ПРИКАСПИЙСКИЙ ЖУРНАЛ

УПРАВЛЕНИЕ И ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ

Совершенствование технологии изготовления низковольного транзистора с наноразмерными величинами активных областей

Читать Шахмаева Айшат Расуловна, Захарова Патимат Расуловна Совершенствование технологии изготовления низковольного транзистора с наноразмерными величинами активных областей  // Прикаспийский журнал:  управление и высокие технологии. — 2011. — №4. — Стр. 103-111.

Шахмаева Айшат Расуловна - кандидат технических наук, Дагестанский государственный технический университет, 367015, Россия, Республика Дагестан, г. Махачкала, пр. Шамиля, 70, fpk12@mail.ru.

Захарова Патимат Расуловна - аспирант, Дагестанский государственный технический университет, 367015, Россия, Республика Дагестан, г. Махачкала, пр. Шамиля, 70, patimatzakharova@gmail.com.

В статье рассматриваются особенности процесса изготовления биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ или IGBT). По предлагаемой модернизированной технологии изготовлен отечественный аналог транзистора MGP20N40CL фирмы Motorola. Программным методом получены его топология и конструкция. Оптимизированная структура смоделирована c помощью приборно-технологического комплекса программ фирмы Synopsys. Предложенная технология представляет особый интерес тем, что позволяет формировать наноразмерные слои в структуре топологии изготавливаемого прибора: процессы формирования областей затворов происходят на подложке с двойным слоем эпитаксиального наращивания. Такой подход к технологии создания и формированию каналов позволил на меньшей площади кристалла разместить большее число затворов. Результатом проведенных исследований является микроминиатюризация прибора до размеров, меньших в 5 раз размеров аналога фирмы Motorola. Рассмотрены и выявлены особенности получаемого кристалла транзистора: его размеры, электрические показатели и выходные характеристики. Также немаловажное значение имеет коммерческая составляющая производства приборов по предложенной нами технологии – увеличение процента выхода годных кристаллов и большее количество (в несколько раз) кристаллов на одной пластине. В работе также указаны недостатки и преимущества продукта.

Ключевые слова: биполярный транзистор с изолированным затвором,выходные характеристики,МОП-структура,кристалл,мезапланарная технология,плазмохимическая зачистка,ионное легирование